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集成离线开关与EcoSmart技术，在经典反激架构中实现高达175瓦输出和92%的效率

离线恒压/恒流反激式开关IC，集成750V PowiGaN 开关、同步整流和准谐振（QR）工作模式

带一个CV和多达四个CC输出的隔离式反激开关IC，用于电脑显示器或带显示面板的家用电器中的可调光LED串

每個 IMX206x 切換IC可搭配多達兩個 IML204DG 四通道LED背光控制器IC使用

离线零电压切换（ZVS）反激开关IC，最多三个恒压（CV）输出或一个恒压（CV）和一个恒流（CC）输出，适用于可调光LED串

行业首款1700V GaN开关 (IMX2353F) 轻松支持1000VDC母线输入电压

采用先进SR FET控制的数字可控离线恒压/恒流反激式开关集成电路，具有零电压开关（ZVS），特点包括750 V或900 V PowiGaN开关、同步整流和FluxLink反馈，输出电压高达30 V

High-Efficiency Off-line CV Flyback Switcher IC with Integrated 725 V / 900 V Primary MOSFET, Low No-Load, and Synchronous Rectification

集成750V PowiGaN、有源钳位驱动和同步整流的数控恒压/恒流离线反激式开关IC——可与ClampZero有源钳位IC搭配使用实现ZVS（零电压开关），也可单独使用以实现准谐振模式

内部集成750V PowiGaN 开关的先进的功率因数校正(PFC)控制器IC，可在整个载范围内实现高功率因数(PF)和高效率。

• 对于功率高达240W的LLC拓扑结构，PFS517xF可与 HiperLCS-2 芯片组搭配使用
• 对于功率高达110W的反激式拓扑结构，PFS527xF（非自偏置供电）可与 InnoSwitch4-CZ 开关IC搭配使用

高效离线LLC开关IC芯片组：

• HiperLCS2-HB：集成600V FREDFET的半桥功率器件；和
• HiperLCS2-SR：集成同步整流和FluxLink反馈技术的安全隔离器件

注：HiperLCS-2可以轻松地与 HiperPFS-5 PFC IC 搭配使用。

内部集成725V初级MOSFET、同步整流、次级侧控制的高效率离线反激式恒压/恒流准谐振开关IC

内部集成USB Type-C和USB-PD控制器、高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能的准谐振离线反激式开关IC

内部集成高压开关、与 InnoSwitch4 系列离线式开关IC搭配使用的有源钳位IC

集成750V PowiGaN、有源钳位驱动和同步整流、与ClampZero有源钳位IC搭配使用的恒压/恒流离线反激式集成开关IC

具有一流轻载效率和无损耗AC过零点检测功能的高效离线式开关IC

适用于超大功率密度AC/DC变换器的大容量电容小型化和浪涌管理IC，采用PowiGaN技术

零功耗 X电容自动快速放电IC，可选无损耗过零点信号发生器

更具灵活性及更大功率范围的高效离线式开关IC

集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能的数控恒压/恒流离线反激式准谐振开关IC

集成了高压初级侧开关、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源IC

集成初级侧切换器、同步整流、FluxLink反馈和恒功率特性的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源IC

集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源IC

采用集成600 V MOSFET的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数，具有高效率

集成了系统级保护的高能效、低功率、离线式开关电源IC

集成了系统级保护的高能效 725 V / 900 V MOSFET 离线式开关电源IC可实现低元件数的电源设计

USB接口IC，它支持Quick Charge 3.0规范的A类和B类方案。

采用集成高压MOSFET和Qspeed二极管的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数及高效率

零功耗X电容自动放电IC

适用于适配器和充电器的高能效、精确初级侧调节的恒压/恒流开关IC

将双开关正向主电源转换器及反激式待机电源转换器与高压功率MOSFET集成

带线电压补偿过载功率的高效离线式开关IC

采用精确初级侧稳压(PSR)的高能效、高功率离线式开关IC

集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器

快速硅二极管，具有一流的EMI性能

• V_RRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 40 A
• Q_RR       - 5 nC - 61 nC

快速硅二极管，在EMI性能与开关速度之间实现平衡

• V_RRM     - 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 20 A
• Q_RR       - 21 nC - 51 nC

超快速硅二极管

• V_RRM     - 600 V, 650 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 30 A
• Q_RR       - 5.9 nC - 180 nC

零空载功耗的集成离线式开关IC

零待机功耗集成离线式开关IC

零损耗高压检测信号断接IC

集成了PSU Controller和725 V MOSFET，可实现超低待机功耗

LinkSwitch-CV通过省去光耦器和次级控制电路，可以大大简化低功率电源的设计。