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Product Parts Table
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数据手册
最大X电容
总串联电阻
击穿电压
IC封装
安装类型
产品类型
运作温度 (最大)
运作温度 (最小)
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Max X Capacitance 100 nF to 6 microF
Total Series Resistance 7.5 MOhm to 142 kOhm
Breakdown Voltage 1000 V
IC Package SO-8
Mounting Type Surface Mount
Product Type IC
Temperature - Operating (Max) 110 °C
Temperature - Operating (Min) -10 °C

施加AC电压后,CAP200DG可阻断X电容安全放电电阻中的电流,这样可在230 VAC输入时将功率损耗降至5 mW以下,甚至为零功耗1。AC断电后,将CAP200DG与串联放电电阻相连,可自动对X电容进行放电。这种工作方法有助于灵活选择X电容,以优化差模EMI滤波,并在功耗不变的情况下降低电感成本。

使用CAP200DG设计电源时,只需根据所用X电容值选择合适的外部电阻值即可获得所需的时间常数。双端子CAP200DG IC的简单性和稳健性,使其成为设计满足EuP Lot 6要求的电源系统的理想之选。

Key Features

  • 一个元件即可涵盖100 nF到6 mF的X电容值
  • AC电压接通后阻止电流流经X电容放电电阻
  • AC断电后通过放电电阻自动对X电容进行放电
  • 简化EMI滤波电路的设计 – 采用更大容量的X电容,可使用小号电感元件,而不会改变功耗
  • 只有两个端子 – 在系统输入保险丝之前或之后使用均可满足安全标准
  • 封装和PCB板上的爬电距离>4 mm
  • 自供电 – 无需外部偏置
  • 高共模抗浪涌能力 – 无需外部接地连接
  • 高差模抗浪涌能力 – 内部集成1000 V MOSFET
  • 通过NEMKO与CB认证