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PowiGaN 技术

PowiGaN 是Power Integrations自行研发的氮化镓(GaN)技术。在PI高度集成的离线反激式开关IC中,PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管,从而降低开关损耗,和硅器件相比,PowiGaN产品可实现体积更小,重量更轻,效率更高的充电器,适配器和敞开式电源。

下载白皮书:基于PowiGaN的初级侧电源开关 - 扩展InnoSwitch3系列IC的功率范围

哪些PI产品采用PowiGaN技术?

基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95%,在封闭式适配器不需散热片就可实现高达100W输出功率。

如何使用基于PowiGaN的产品进行设计?

PI Expert自动电源设计软件同时支持基于硅MOSFET和PowiGaN的器件,协助设计工程师选择最佳组件,并从基本参数输入生成完整的原理图、磁性图和BOM,从而加快设计过程。

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请看系列视频: 氮化镓(GaN)解密