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SCALE-2驱动核

驱动核是具备驱动器所有基本功能的基于 PCB的驱动模块,这些基本功能包括电气隔离、各种保护、DC/DC电源等。除了驱动核外,客户 的PCB上还需包含其他附加元件 – 如输入接口、门极电阻、有源箝位等,这些元件与驱动核一起 构成了完整的IGBT驱动器。IGBT驱动核的隔离电压介于600 V到6.5 kV之间,每个通道的功率介于1 W到20 W之间。它们还适用于驱动功率MOSFET以及其他开关频率可达500kHz的新型半导体器件。

Products
产品
产品描述
最大击穿电压
Power Switch
2SC0115T

适用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,SCALE-2+技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能

Description

适用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,SCALE-2+技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能

Max Breakdown Voltage 1200 V Power Switch IGBT, SiC MOSFET
1SC0450

单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,集成DC/DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器

Description

单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,集成DC/DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器

Max Breakdown Voltage 1700 V Power Switch IGBT
2SC0106T

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,适用于10至75kVA的逆变器设计,以最经济的方式完整通过安全认证

Description

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,适用于10至75kVA的逆变器设计,以最经济的方式完整通过安全认证

Max Breakdown Voltage 1200 V Power Switch IGBT
2SC0635T

SCALE-2 4.5kV驱动核,带有板载DC/DC电源;不使用光纤,可使系统成本更低。

Description

SCALE-2 4.5kV驱动核,带有板载DC/DC电源;不使用光纤,可使系统成本更低。

Max Breakdown Voltage 4500 V Power Switch IGBT, SiC MOSFET
2SD300C17

双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,兼容Infineon 的2ED300C17-S驱动器,30 A门极电流,2 x 4 W驱动功率

Description

双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,兼容Infineon 的2ED300C17-S驱动器,30 A门极电流,2 x 4 W驱动功率

Max Breakdown Voltage 1700 V Power Switch IGBT
2SC0535T

用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高电压,高功率,35 A门极电流,2 x 5 W输出功率

Description

用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高电压,高功率,35 A门极电流,2 x 5 W输出功率

Max Breakdown Voltage 3300 V Power Switch IGBT, SiC MOSFET
2SC0650P

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,最高的功率密度,针对大功率和高频应用,50 A门极电流,2 x 6 W输出功率

Description

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,最高的功率密度,针对大功率和高频应用,50 A门极电流,2 x 6 W输出功率

Max Breakdown Voltage 1700 V Power Switch IGBT, SiC MOSFET
2SC0435T

双通道SCALE-2+驱动核,适用2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17和2SC0435T2H0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35 A门极电流,2 x 4 W输出功率

Description

双通道SCALE-2+驱动核,适用2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17和2SC0435T2H0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35 A门极电流,2 x 4 W输出功率

Max Breakdown Voltage 1700 V Power Switch IGBT, SiC MOSFET
2SC0108T

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高质量,8 A门极电流,2 x 1 W输出功率

Description

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高质量,8 A门极电流,2 x 1 W输出功率

Max Breakdown Voltage 1700 V Power Switch IGBT
1SC2060P

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,驱动电流60 A,用于驱动并联的大功率IGBT模块,输出功率20 W,用于最高500 kHz的高频应用

Description

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,驱动电流60 A,用于驱动并联的大功率IGBT模块,输出功率20 W,用于最高500 kHz的高频应用

Max Breakdown Voltage 1700 V Power Switch IGBT, SiC MOSFET