国际电力电子直播节《宽禁带半导体》第四场

PI公司誠邀您注册参加由电源网举办的第七届国际电力电子直播节《宽禁带半导体》第四场。PI技术专家胡早胜将介绍全球首款1700 V氮化镓功率器件。接着，天津工业大学高圣伟教授主讲GaN HEMT器件分析。

提高PowiGaN开关的耐压能力，简化高压应用中高效率、高性价比功率变换的设计

• 5月29日（周四）下午14:00
• 胡早胜，Power Integrations AE经理

GaN HEMT器件损耗及老化原理分析

• 5月29日（周四）下午15:00
• 高圣伟，天津工业大学电气工程学院教授

Power Integrations推出的InnoSwitch3-EP和InnoMux-2系列IC中，集成采用PowiGaN氮化镓技术的极高性价比900V、1250V和1700V开关。这些器件可大大简化高压环境下单路输出和多路输出电源的设计。在本讲座中，我们将介绍这项新技术，展示其在实际功率变换电路中的应用，并明确指出可从这项技术中受益的新应用。