News

柔軟性の高いゲート ドライバ システムにおいて 1.7 kV ~ 4.5 kV の IGBT 及び SiC デュアル電源モジュールを一新(New!)

June 26th, 2019

Power Integrations は本日、ブロッキング電圧が 1.7 kV ~ 4.5 kV のハイブリッド IGBT 及びシリコン カーバイド (SiC) MOSFET 電源モジュール向けのSCALE-iFlex™ ゲートドライバ システムを発表しました。このシステムは、中心となる Isolated Master Control (IMC) 及び 1 ~ 4 つの Module-Adapted Gate ドライバ (MAG) で構成されています。

Power Integrations、900 V MOSFET を内蔵したスイッチング電源用 IC 製品を発表 (New!)

May 7th, 2019

Power Integrations は本日、一次側 900 V MOSFET を搭載したオフライン スイッチング電源用 IC を発売しました。新製品には、シンプルな非絶縁降圧型コンバータ向けLinkSwitch™-TN2 IC の 900 Vタイプ、最大 35 W の超高効率絶縁型フライバックを実現する、当社の主力製品であるInnoSwitch™3-EP IC ファミリーの 3 つの新タイプが含まれています。

Team UP Dagisik Takes to the Track!(New!)

April 30th, 2019

Ride along with driver Jared Baniqued as he negotiates the twists and turns of Sepang International Raceway in the Team UP Dagisik (that’s Tagalog for “Electron”) Shell Eco-marathon entry sponsored by Power Integrations. Following yesterday’s successful test session the team is busy making last minute adjustments in preparation for the race on Thursday.