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Qspeed 自動車専用 Diodes

EMI とスイッチング速度のバランスが取れた高速シリコン ダイオード

  • VRRM     - 200 V
  • IF(AVG)   - 10 A - 20 A
  • QRR       - 15.6 nC - 48.4 nC

アプリケーション
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Product Parts Table
製品
データ シート
逆回復電圧 (最大)
順方向電流 (平均)
順方向電圧 (典型)
Reverse Recovery Charge @25°C
Reverse Recovery Charge @125°C
ICパッケージ
取付タイプ
製品タイプ
動作温度 - 最大
動作温度 - 最小
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Voltage - Reverse Recovery (Max) 200V
Current - Forward (avg) 10 A
Voltage - Forward (typ) 0.800 V
Reverse Recovery Charge @25°C 15.6 nC
Reverse Recovery Charge @125°C 32.4 nC
IC Package TO-252DPAK
Mounting Type Surface Mount
Product Type Passive
Temperature - Operating (Max) 150 °C
Temperature - Operating (Min) -40 °C
Data Sheet PDF を表示
Voltage - Reverse Recovery (Max) 200V
Current - Forward (avg) 20 A
Voltage - Forward (typ) 0.850 V
Reverse Recovery Charge @25°C 20.0 nC
Reverse Recovery Charge @125°C 48.4 nC
IC Package TO-252DPAK
Mounting Type Surface Mount
Product Type Passive
Temperature - Operating (Max) 150 °C
Temperature - Operating (Min) -40 °C
Data Sheet PDF を表示
Voltage - Reverse Recovery (Max) 600V
Current - Forward (avg) 12 A
Voltage - Forward (typ) 2.600 V
Reverse Recovery Charge @25°C 9.2 nC
Reverse Recovery Charge @125°C 30.0 nC
IC Package TO-220AC
Product Type Diode
Temperature - Operating (Max) 150 °C
Temperature - Operating (Min) -55 °C

Qspeed™ ダイオードは、シリコン ダイオードの中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。

製品ハイライト

主な内容

  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • スムーズな リカバリー特性

利点

  • 効率の向上
    • スナバ回路が不要
    • EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
  • 極めて高速なスイッチング特性を実現

用途

  • 自動車専用
    • AEC-Q101標準に準拠
    • IATF 16949認定に基づく製造、組み立て、テスト
    • ESD HBM 分類 H0

関連情報

PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション

Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。

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