ソリューション ファインダー 技術サポート

LQ20N200CQ

EMI とスイッチング速度のバランスが取れた高速シリコン ダイオード

  • VRRM     - 200 V - 600 V
  • IF(AVG)   - 10 A - 20 A
  • QRR       - 9.2 nC - 48.4 nC

アプリケーション

製品詳細

Qspeed™ ダイオードは、シリコン ダイオードの中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。

製品ハイライト

主な内容

  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • スムーズな リカバリー特性

利点

  • 効率の向上
    • スナバ回路が不要
    • EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
  • 極めて高速なスイッチング特性を実現

用途

  • 自動車専用
    • AEC-Q101標準に準拠
    • IATF 16949認定に基づく製造、組み立て、テスト
    • ESD HBM 分類 H0

関連情報

PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション

Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。

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仕様

仕様
順方向電流 (平均) 20.00 A
Reverse Recovery Charge @25°C 20.00 nC
Reverse Recovery Charge @125°C 48.40 nC
逆回復電圧 (最大) 200.00V
ICパッケージ TO-252DPAK
取付タイプ Surface Mount
動作温度 - 最小 -40 °C
動作温度 - 最大 150 °C
Product Sub-Type Diode