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SIC118xKQ

適用於汽車應用,高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器,提供了高達 1200 V 的進階主動箝位 和增強型絕緣

應用
過濾器 Filter Products
顯示1 - 2項產品, 共2項
Product Parts
產品
產品規格型錄
IGBT電壓等級
最大開關頻率
柵極峰值電流 (最大)
支持的模組種類
邏輯輸入電壓
保護功能
技術
接口類型
支持的拓撲
電源電壓 (典型)
隔離類型
隔離技術
時間 - 輸出下降
時間 - 輸出上升
驅動模式
Data Sheet 檢視 PDF
IGBT Voltage Class 750 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Data Sheet 檢視 PDF
IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent

SIC1181KQ 和 SIC1182KQ 是適用於 SiC MOSFET 的單通道閘極驅動器。 增強型電流絕緣透過 Power Integrations 變革性的固態絕緣體 FluxLink 技術提供。高達 ±8 A 的峰值輸出驅動電流可讓產品驅動具有高達 600/800 A (典型值) 標準電流的裝置。

一次側和二次側欠壓鎖閉 (UVLO) 以及具有溫度和流程補償輸出阻抗的軌 對軌輸出等其他功能,可保證在嚴苛條件下也能安全運作。

此外,此閘級驅動器 IC 還具有短路保護 (在開啟階段和開啟階段期間), 以及由 AAC 進階主動箝位 (在關閉階段) 透過單一感測接腳實施過壓限 制。對於具有電流感測端子的 SIC MOSFET,可以實現可調整的過電流 偵測。

高度整合、佔用面積小

  • ±8 A 峰值閘極輸出電流
  • 整合式 FluxLink™ 技術,提供增強型絕緣
  • SiC MOSFET 已最佳化的進階主動箝位
  • 超快速短路偵測
  • 一次側和二次側 UVLO
  • 軌對軌穩定輸出電壓
  • 二次側單極供應電壓
  • 高達 150 kHz 的切換頻率
  • 傳播延遲頻率抖動為 ±5 ns
  • 工作環境溫度 -40 °C 至 +125 °C
  • 高共模暫態耐受性
  • eSOP 封裝 (安規距離和間隔為 9.5 mm)、CTI 600±8 A peak gate output current

保護/安全功能

  • 一次側和二次側欠壓鎖閉保護,包括故障回授
  • 具有電流感測端子的 SiC MOSFET 過電流偵測
  • 超快速短路監控、關閉和報告
  • SiC MOSFET 關閉期間的過壓限制

絕對安全且符合法規

  • 100% 經過生產部分放電測試
  • 100% 經過 8000 V 峰值下持續 1 s 的生產 HIPOT 符合性測試
  • 增強型絕緣 VDE V 0884-11 認證待審中
  • UL 1577 認證待審中
  • AEC Q-100 汽車級 1 級資格認證

綠色環保封裝

  • 無鹵素,符合 RoHS 標準

應用

  • 電動車輛 BEV 牽引驅動
  • 油電混合車輛 PHEV 牽引驅動
  • 電動車輛車載和非車載充電器