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SID1183K

最大8A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1700 V的IGBT和MOSFET提供基本电磁隔离

此产品持续销售中,但不建议用于新设计。
Suggested Alternative: 2SC0108T

SID1183K是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations?创新的固体绝缘FluxLink技术实现了电磁隔离。其峰值输出驱动电流可达8 A,在无需任何额外有源器件的条件下,可直接驱动600A以下的开关器件。对于超出SID1183K的最大输出电流的门极驱动要求,可以在外部添加一个推动级。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。

该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。

高度集成,外形紧凑

  • 独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流
  • 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
  • 轨到轨输出稳定的门极电压
  • 副方单电源供电
  • 适合1700 V IGBT和MOSFET功率开关器件
  • 开关频率最高至75 kHz
  • 传输延迟时间非常短,仅为260 ns
  • 传输延迟抖动为±5 ns
  • 工作环境温度介于-40°C至125°C之间
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

先进的保护/安全功能

  • 原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈
  • 使用二极管或者电阻串来实现VCESAT检测功能,并将故障反馈给原方
  • 高级软关断(ASSD)

完全符合各项安规要求

  • 产品100%进行局部放电测试
  • 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
  • 基本隔离符合VDE 0884-10标准

环保封装

  • 无卤素且符合RoHS标准

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