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SID1102K

最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

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Product Parts
产品
数据手册
IGBT电压等级
Gate Peak Current (Max)
最大开关频率
支持的模块
逻辑输入电压
保护功能
技术
接口类型
支持的拓扑
电源电压 (典型)
隔离类型
Isolation Technology
時間 - 輸出下降
時間 - 輸出上升
驱动模式
主/外围
并行支持?
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IGBT Voltage Class 1200 V
Gate Peak Current (Max) +5 A
Max Switching Frequency 75.0 kHz
Supported Module Type IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Input Voltage 5
Protection Features Basic Active Clamping, Adv Soft Shutdown, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 14 ns
Time - Output Rise 29 ns
Driving Mode Direct-Independent
Main/Peripheral N/A
Paralleling Support? No

SID1102K是采用eSOP宽体封装的单通道IGBT和MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink™技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达5A,可直接驱动300A以下的开关器件。推动级适用于超过5A的门极驱动器要求,AUXGL和AUXGH输出管脚可驱动60A的外部N沟道MOSFET。

控制器(PWM)信号兼容5V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15V。副方电压��理提供+15V至-10V的双极门极驱动器电压,同时只需要一个+25V的单极电压。芯片内部的Vee稳压器对+15V门极驱动电压提供调整。欠压保护可关断门极信号,使IGBT或MOSFET保持安全工作。

  • IGBT门极驱动器具有更宽、更灵活的应用范围,可驱动1200V以内的IGBT模块并提供50A至3600A的IGBT电流。
  • 单通道可在不使用推动级的情况下提供5A峰值门极驱动电流
  • 外部上管和下管N沟通推动级的辅助输出可将峰值驱动电流增至60A
  • 欠压保护
  • 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
  • 轨到轨输出电压且稳压
  • 副方单电源供电
  • 适合600V/650V/1200V IGBT和MOSFET功率开关
  • 开关频率最高至75kHz
  • 传输延迟抖动为±5ns
  • 工作环境温度介于-40°C至125°C之间
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

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