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SIC118xKQ

汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘

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Product Parts
产品
数据手册
IGBT电压等级
最大开关频率
Gate Peak Current (Max)
支持的模块
逻辑输入电压
保护功能
技术
接口类型
支持的拓扑
电源电压 (典型)
隔离类型
Isolation Technology
時間 - 輸出下降
時間 - 輸出上升
驱动模式
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IGBT Voltage Class 750 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
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IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent

SIC1181KQ和SIC1182KQ是适合SiC MOSFET的单通道门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A,可直接驱动600A/800A(典型值)以下的开关器件。

该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

此外,这款门极驱动器IC还具有AAC高级有源钳位(关断时)特性,可通过一个检测管脚同时提供短路保护(开通时和开通过程中)和过压限制。 对于具有电流检测端子的SIC MOSFET,可实现可调过流检测。

高度集成,外形紧凑

  • ±8 A峰值门极输出电流
  • 集成的FluxLink™技术提供加强绝缘
  • SiC MOSFET优化的高级有源钳位
  • 超快速短路检测 • 原方和副方欠压保护(UVLO)
  • 轨到轨输出电压且稳压
  • 副方单极电源供电
  • 开关频率最高至150 kHz
  • ±5 ns传输延迟抖动
  • -40 °C至+125 °C工作环境温度
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装,CTI 600

保护/安全特性

  • 原方和副方欠压保护(包括故障反馈)
  • 电流检测端子可提供SiC MOSFET过流检测
  • 超快速短路检测、关断和报告
  • SiC MOSFET关断期间过压限制

完全符合各项安规要求

  • 产品100%进行局部放电测试
  • 产品100%进行8000 V峰值1秒的HIPOT合规性测试
  • VDE 0884-11的加强绝缘认证正在审核中
  • UL 1577认证正在申请中
  • AEC Q-100汽车级1级标准认证

环保封装

  • 无卤素且符合RoHS标准

应用

  • 纯电动汽车(BEV)牵引驱动
  • 混合动力汽车(PHEV)牵引驱动
  • 电动汽车车载和非车载充电机