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SIC1182K

最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

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数据手册
IGBT电压等级
最大开关频率
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主/外围
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逻辑输入电压
保护功能
技术
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接口类型
电源电压 (典型)
隔离类型
Isolation Technology
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驱动模式
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IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Main/Peripheral N/A
Supported Module Type Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Interface Type Electrical
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Paralleling Support? No

SIC1182K是采用eSOP-R16B封装的单通道SiC MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A,可直接驱动600A(典型值)以下的开关器件。

该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

此外,这款门极驱动器IC还具有一项新特性 —— 高级有源钳位(关断时),可通过一个检测管脚同时提供短路保护(开通时和开通过程中)和过压限制。如果所驱动的半导体提供电流检测端子,则支持可调过流检测。

高度集成,外形紧凑

  • 适合600V/650V/1200V SiC MOSFET功率开关
  • ±8A峰值门极输出电流
  • 集成的FluxLink™技术提供加强绝缘
  • 高级有源钳位功能
  • 原方和副方欠压保护(UVLO)
  • 过流故障关断
  • 短路故障关断
  • 轨到轨输出电压且稳压
  • 副方单电源供电
  • 开关频率最高至150kHz
  • ±5ns传输延迟抖动
  • -40℃至+125℃工作环境温度
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

保护/安全特性

  • 原方和副方欠压保护(包括故障反馈)
  • 电流检测端子可提供SiC MOSFET过流检测
  • 超快速短路检测
  • 关断过压限制(高级有源钳位)

完全符合各项安规要求

  • 产品100%进行局部放电测试
  • 产品100%进行HIPOT合规性测试
  • 加强绝缘VDE 0884-10认证
  • UL 1577认证正在申请中

环保封装

  • 无卤素且符合RoHS标准

应用

  • 通用变频器和伺服驱动器
  • UPS、光伏逆变器(PV)、电焊机和电源
  • 其他工业应用

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