解决方案搜寻

SCALE-iDriver IC

SCALE-iDriver系列门极驱动器IC可同时为IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驱动,也是首款将Power Integrations首创的FluxLink磁感双向通信技术引入1200 V和1700 V驱动器应用的产品。

  • FluxLink技术可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路,从而增强系统运行的可靠性,同时降低系统的复杂度
  • 先进的系统安全和保护功能(常用于中压和高压应用)可增强产品可靠性
  • 创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,可确保实现更大的工作电压裕量和更高的系统可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级,经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC MOSFET的需求
  • AEC-Q100认证汽车应用SCALE-iDriver IC可在125°C结温下提供8A驱动,并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计

Power Integrations谈SCALE-iDriver

Products
产品
数据手册
产品描述
最大击穿电压
Power Switch
SIC1182K

最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

Data Sheet 查看PDF Description

最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch SiC MOSFET
SIC118xKQ

汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘

Data Sheet 查看PDF Description

汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘

Max Breakdown Voltage 750 V, 1200 V Power Switch SiC MOSFET
SID1102K

最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

Data Sheet 查看PDF Description

最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x1K

单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可提供耐压650 V的加强绝缘

Data Sheet 查看PDF Description

单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可提供耐压650 V的加强绝缘

Max Breakdown Voltage 650 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x2K

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC

Data Sheet 查看PDF Description

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11xxKQ

汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器

Data Sheet 查看PDF Description

汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET