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Unboxing: 15 W Low-Profile Reference Design for 800V AI Data Centers
See how Power Integrations' low profile reference design, DER-1114, enables efficient auxiliary power conversion in 800 VDC AI data centers.
백서 - 1200 V를 넘어: 고신뢰성 EV 및 산업용 애플리케이션을 위한 측면형 GaN HEMTs
PI는 1250 V 질화갈륨 전원 스위치 IC를 선도적으로 채택했으며, 이 제품은 뛰어난 과도 과전압 능력을 갖추고 있어 고전압과 고신뢰성이 필요한 전기 자동차 및 산업용 애플리케이션에 필수적입니다. 2024년 PCIM Europe 전시회에서, 당사의 PowiGaN 전문가 Kamal Varadarajan이 이 획기적인 기술에 대해 심도 깊은 내용을 공유합니다.
백서 다운로드: Reaching Beyond 1200 V: Lateral GaN HEMTs for High-Reliability EV and Industrial Applications
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