InnoSwitch4-CZ & ClampZero - Enabling A New Class of Mobile Device Chargers Watch Now
回路例を探す

SIC118xKQ

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) 及び 最大 1200 V の強化絶縁に 対応した最大 8 A の車載用シングルチャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 及び IGBT ゲート ドライバ

アプリケーション
フィルタ 製品を隠す
1 ~ 2個の商品を表示、 合計2個
Product Parts
製品
データ シート
IGBT 電圧クラス
最大スイッチング周波数 (kHz)
Gate Peak Current (Max)
サポートされているモジュールタイプ
ロジック入力電圧
保護機能
技術
インターフェイスタイプ
サポートされているトポロジ
供給電圧 (標準)
隔離タイプ
分離技術
時間 - 出力低下
時間 - 出力の上昇
ドライブモード
Data Sheet PDF を表示
IGBT Voltage Class 750 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Data Sheet PDF を表示
IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent

SIC1181KQ と SIC1182KQ は、SiC MOSFET 用のシングル チャネル ゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink 技術によって実現されます。最大 ±8 A の
ピーク出力ドライブ電流により、定格電流 600/800 A (typ.) までのデバイスを駆動できます。

一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

さらに、このゲート ドライバ IC には、短絡保護 (オン期間及びターンオン時) 及び 1 つのセンス ピンで実現できる AAC (アドバンストアクティブクランプ) (ターンオフ時) による過電圧制限機能を有します。電流センス端子がある SIC MOSFET では、調整可能な過電流検出機能を実現できます。

高集積化、コンパクトな実装

  • ±8 A のピーク ゲート出力電流
  • 強化絶縁を実現する内蔵 FluxLink™ 技術
  • SiC MOSFET 向けに最適化されたアドバンスト アクティブ クランプ
  • 超高速短絡検出機能
  • 一次側及び二次側の UVLO
  • レイルツーレイルの安定出力電圧
  • 二次側への供給電圧は 1 電源にて対応
  • 最大 150 kHz のスイッチング周波数
  • ±5 ns の伝搬遅延ジッター
  • -40 ℃ ~ +125 ℃ の動作周囲温度
  • 優れたコモンモード過渡耐性
  • 9.5 mm の沿面及び空間距離、CTI 600 を実現する eSOP パッケージ

保護/安全性

  • 異常フィードバックを含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護
  • 電流センス端子による SiC MOSFET の過電流検出
  • 超高速短絡監視、ターンオフ、及びレポート機能
  • SiC MOSFET のターンオフ時の過電圧制限

安全規格及び規制に準拠

  • 生産ラインでの 100% 部分放電試験
  • 生産ラインでの 100% HIPOT (8000 V ピーク、1 秒) 準拠試験
  • 強化絶縁:VDE 0884-11 規格認定申請中
  • UL 1577 認定申請中
  • 自動車グレード レベル 1 の AEC Q-100 認定申請中

グリーン パッケージ

  • ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合

用途

  • 電気自動車 (BEV) のトラクション ドライブ
  • ハイブリッド電気自動車 (PHEV) のトラクション ドライブ
  • 電気自動車の車載及び車外充電器