
SIC1182K
アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SIC1182K は、SiC MOSFET 向けの シングル チャンネル ゲート ドライバ(パッケージ:eSOP-R16B) です。強化ガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。最大 ±8 A のピーク出力ドライブ電流により、最大定格電流 600 A (標準) のデバイ���を駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに、このゲート ドライバ IC には、一つのセンス ピンで実現できるアドバンスト アクティブ クランプ (ターンオフ時) という新機能があり、短絡保護 (ターンオン時及びその期間) 及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は、調整可能な過電流検出機能をサポートします。
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) | 150.00 kHz |
IGBT 電圧クラス | 1200 V |
技術 | SCALE-iDriver |
インターフェイスタイプ | 電気 |
チャネル数 | 1 |
ゲートピーク電流(最大) | +8 A |
製品タイプ | IC |
Product Sub-Type | ドライバ IC |
サポートされているモジュールタイプ | 炭化ケイ素 |
メイン/周辺 | N/A |
サポートされているトポロジ |
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
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保護機能 |
高度アクティブクランピング
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧(セカンダリ側)
低電圧(プライマリ側)
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ドライブモード | 直接独立型 |
ロジック入力電圧 | 5 |
供給電圧 (標準) | 5.00 V |
時間 - 出力の上昇 | 22.00 ns |
時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
分離技術 | Fluxlink |
隔離タイプ | 強化型 |
ゲートピーク電流(最小) | -8 |