ソリューション ファインダー

SIC1182K

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ

アプリケーション
製品詳細

SIC1182K は、SiC MOSFET 向けの シングル チャンネル ゲート ドライバ(パッケージ:eSOP-R16B) です。強化ガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。最大 ±8 A のピーク出力ドライブ電流により、最大定格電流 600 A (標準) のデバイ���を駆動できます。

一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

さらに、このゲート ドライバ IC には、一つのセンス ピンで実現できるアドバンスト アクティブ クランプ (ターンオフ時) という新機能があり、短絡保護 (ターンオン時及びその期間) 及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は、調整可能な過電流検出機能をサポートします。

仕様
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 150.00 kHz
IGBT 電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-iDriver
インターフェイスタイプ Electrical
チャネル数 1
Gate Peak Current (Max) +8 A
製品タイプ IC
Product Sub-Type Driver IC
サポートされているモジュールタイプ Silicon Carbide
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
並列サポート?
保護機能
Adv Active Clamping
Dynamic Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
樹脂コーティング?
ドライブモード Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間 - 出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タイプ Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -8