ソリューション ファインダー

ホワイトペーパーと記事

Maintaining SiC MOSFET Efficiency and Protection without Compromise

The efficiency and size benefits of SiC devices have been enthusiastically embraced by designers of industrial, automotive, traction systems and photovoltaic power conversion. To provide more detail, the lower sheet resistance of wide-bandgap SiC materials (typically 1/100th that of conventional silicon) results in smaller devices for a given current capacity—valuable

最大 1200 V のパワーデバイスに対して強化絶縁に対応、革新的な高電圧 IGBT ドラ イバ ファミリー

Power Integrations の IGBT および MOSFET ゲートドライバである SCALE-iDriver™ を使用することにより、低電圧及び中電圧の電子発電システムを簡単に設計できるようになりました。新しいドライバには、Power Integrations 独自のFluxLink™、固体絶縁、磁気誘導カップリング、通信技術が組みこまれています。FluxLink インターフェイス及び eSOP パッケージには、VDE0884-11 及び IEC60747-17 に準拠するために必要な強化絶縁と、非常に大きな電磁妨害 (EMI) や可変磁場に対する耐性が備わっているため、メーカーは IEC61000-4-8 及び IEC61000-4-9 規格に簡単に準拠することができます。