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SID1102K

最大 1200 V の IGBT と MOSFET に対して、強化絶縁を提供する最大 5 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション

製品詳細

SID1102K は、eSOP ワイドパッケージのシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET のゲート ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的な固体絶縁 FluxLink™ 技術によって実現されます。最大 5 A のピーク出力ドライブ電流により、この製品は最大 300 A の定格電流でデバイスを駆動できます。ブースター回路は、5 A を超えるゲート ドライバの要件下で使用でき、AUXGL 及び AUXGH の出力ピンは、最大 60 A で外部 N チャンネル MOSFET を駆動します。

コントローラ (PWM) 信号は 5 V の CMOS ロジックと互換性があり、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。二次側の電圧管理により、+15 から -10 V のバイポーラ ゲート ドライブ電圧が提供されますが、+25 V の単一電圧のみ必要となります。+15 V ゲート ドライブ電圧は、チップの内蔵 Vee 電圧レギュレータにより制御されます。低電圧ログ アウトによりゲート信号がオフになり、IGBT または MOSFET の安全な操作を持続できます。

仕様

仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 75.00 kHz
IGBT 電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-iDriver
インターフェイスタイプ 電気
チャネル数 1
ゲートピーク電流(最大) +5 A
製品タイプ IC
Product Sub-Type ドライバ IC
サポートされているモジュールタイプ
IGBT
NチャネルMOSFET
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
保護機能
基本アクティブクランピング
高度ソフトシャットダウン
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧(セカンダリ側)
低電圧(プライマリ側)
ドライブモード 直接独立型
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間 - 出力の上昇 29.00 ns
時間 - 出力低下 14.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タイプ 強化型
Gate Boosting? はい
ゲートピーク電流(最小) -5

リソース