
SID1102K
Up to 5 A Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Providing Reinforced Isolation up to 1200 V IGBT and MOSFET
제품 상세 정보
The SID1102K is a single-channel IGBT and MOSFET gate driver in an eSOP wide body package. Reinforced galvanic isolation is provided by Power Integrations’ innovative solid insulator FluxLink™ technology. Up to 5 A peak output drive current enables the product to drive devices with nominal currents of up to 300 A. Booster stages are available for gate driver requirements that exceed 5 A, AUXGL and AUXGH output pins drive external N-Channel MOSFETs up to 60 A.
Controller (PWM) signals are compatible with 5 V CMOS logic, which may also be adjusted to 15 V levels by using external resistor divider. The secondary side voltage management provides bipolar gate driver voltage from +15 to -10 V while only a +25 V unipolar voltage is required. The +15 V gate drive voltage is regulated by the chip internal Vee voltage regulator. An undervoltage log out turns off the gate signal and keeps the IGBT or MOSFET in a safe operation.
명세서
최대 스위칭 주파수 | 75.00 kHz |
IGBT 전압 등급 | 1200 V |
기술 | SCALE-iDriver |
인터페이스 유형 | 전기 |
채널 수 | 1 |
게이트 피크 전류 (최대) | +5 A |
상품 유형 | IC |
Product Sub-Type | 드라이버 IC |
지원되는 모듈 유형 |
IGBT
N채널 MOSFET
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메인 / 주변 | 해당 없음 |
지원되는 토폴로지 |
2단계 전압 소스
3단계 NP 클램프 - 유형 1
3단계 NP 클램프 - 유형 2
다단계 NP 클램프
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보호 기능 |
기본 능동 클램핑
고급 소프트 셧다운
동적 고급 능동 클램핑
단락
저전압 (2차측)
저전압 (1차측)
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드라이브 모드 | 직접 독립형 |
논리 입력 전압 | 5 |
공급 전압 (일반) | 5.00 V |
시간 - 출력 상승 | 29.00 ns |
시간 - 출력 하락 | 14.00 ns |
격리 기술 | Fluxlink |
격리 유형 | 강화형 |
Gate Boosting? | 예 |
게이트 피크 전류 (최소) | -5 |