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SID11xxKQ

최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

애플리케이션
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Product Parts
제품
데이터 시트
IGBT 전압 등급
최대 스위칭 주파수
게이트 피크 전류 (최대)
지원되는 모듈 유형
논리 입력 전압
보호 기능
기술
인터페이스 유형
지원되는 토폴로지
공급 전압 (일반)
격리 유형
격리 기술
시간 - 출력 하락
시간 - 출력 상승
드라이브 모드
메인 / 주변
병렬 지원?
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IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 75.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +2 A
Supported Module Type IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Input Voltage 5
Protection Features Basic Active Clamping, Adv Soft Shutdown, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Main/Peripheral N/A
Paralleling Support? No
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IGBT Voltage Class 750 V
Max Switching Frequency 75.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Input Voltage 5
Protection Features Basic Active Clamping, Adv Soft Shutdown, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Main/Peripheral N/A
Paralleling Support? No
Data Sheet PDF 보기
IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 75.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Supported Module Type IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Input Voltage 5
Protection Features Basic Active Clamping, Adv Soft Shutdown, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Main/Peripheral N/A
Paralleling Support? No

SID11xxKQ는 eSOP 패키지의 단일 채널 IGBT 및 MOSFET 드라이버입니 다. 강화된 갈바닉 절연 성능은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연물 FluxLink 기술에 의해 제공됩니다. 8A의 피크 출력 드라이브 전류 덕분에 추가적인 부품 없이도 최대 600A(기본값)로 IGBT 및 MOSFET을 구동하는 제품을 제작할 수 있습니다. SID11xxKQ의 단독 용량을 초과하는 게이트 드라이브 요건의 경우, 외장 증폭기(부스터)를 추가할 수도 있습니다. 하나의 유니폴라 절연 전압 소스가 게이트 제어를 위한 안정적인 플러스 및 마이너스 전압을 제공합니다.

ASSD(Advanced Soft Shut Down)를 사용한 회로 단락 보호(DESAT), 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출력 임피 던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서도 안전한 작동을 보장합니다.

컨트롤러(PWM 및 고장) 신호는 5V CMOS 로직과 호환되며, 외부 저항 분배기를 사용할 경우 전압이 15V 수준까지 조정될 수도 있습니다.

높은 집적도, 작은 공간

  • 출력을 분할하여 최대 8A의 피크 드라이브 전류 제공
  • 통합 FluxLink™ 기술로 1차측과 2차측 간 안전한 절연 성능 제공
  • Rail-to-rail 안정된 출력 전압
  • 2차측을 위한 유니폴라 공급 전압
  • 600V/650V/750V/1200V IGBT 및 MOSFET 스위치에 적합
  • 최대 75kHz 스위칭 주파수
  • 260ns의 짧은 전파 지연 시간
  • 전파 지연 지터 ±5ns
  • -40 ~ +125°C의 작동 주변 온도
  • 높은 커먼 모드 과도 응답 내성
  • 9.5mm의 연면거리 및 공간거리를 갖는 eSOP 패키지

고급 보호 및 안전 기능

  • 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO) 보호와 고장 피드백
  • VCESAT 모니터링을 통한 회로 단락 보호 기능과 고장 피드백
  • ASSD(Advanced Soft Shut Down)

높은 안전성 및 규정 준수

  • 100% 생산 부분 방전 테스트
  • 6kV RMS 1초에서 100% 생산 HIPOT 준수 테스트
  • VDE 0884-10을 충족하는 강화된 절연 성능
  • AEC Q-100 인증 획득(자동차용 1등급)

친환경 패키지

  • 할로겐 프리 및 RoHS 준수

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