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SCALE-iDriver IC

The SCALE-iDriver™ Family of gate driver ICs, optimized for driving IGBTs,traditional MOSFETs and SiC MOSFETs, are the first products to bring Power Integrations’ pioneering FluxLink™ magneto-inductive bi-directional communications technology to 1200 V and 1700 V driver applications.

  • FluxLink technology eliminates the need for short-lived opto-electronics and associated compensation circuitry, thereby enhancing operational stability while reducing system complexity
  • Advanced system safety and protection features, commonly found in medium- and high-voltage applications, enhance product reliability
  • Innovative eSOP package features 9.5 mm of creepage and a Comparative Tracking Index (CTI) = 600, ensuring substantial operating voltage margin and high system reliability
  • Silicon carbide (SiC) MOSFET gate driver ICs deliver the highest peak-output gate current available without an external boost stage and can be configured to support different gate-drive voltages matching the range of requirements seen in today’s SiC MOSFETs
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications SCALE-iDriver ICs can drive up to 8A @ 125°C junction temperature, and support 600, 650, 750 and 1200V IGBT and SiC inverter designs up to several hundred kW without a booster stage

Power Integrations talks about SCALE-iDriver

Products
제품
데이터 시트
설명
최대 항복 전압
Power Switch
SIC1182K

향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제공하는 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버

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향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제공하는 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch SiC MOSFET
SIC118xKQ

향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제 공하는 자동차 애플리케이션용 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

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향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제 공하는 자동차 애플리케이션용 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

Max Breakdown Voltage 750 V, 1200 V Power Switch SiC MOSFET
SID1102K

Up to 5 A Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Providing Reinforced Isolation up to 1200 V IGBT and MOSFET

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Up to 5 A Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Providing Reinforced Isolation up to 1200 V IGBT and MOSFET

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x1K

최대 650V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

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최대 650V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

Max Breakdown Voltage 650 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x2K

강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

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강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11xxKQ

최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

Data Sheet PDF 보기 Description

최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET