InnoSwitch4-CZ & ClampZero - Enabling A New Class of Mobile Device Chargers Watch Now
回路例を探す

SID11x1K

最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

アプリケーション
フィルタ 製品を隠す
1 ~ 2個の商品を表示、 合計2個
Product Parts
製品
データ シート
IGBT 電圧クラス
Gate Peak Current (Max)
最大スイッチング周波数 (kHz)
サポートされているモジュールタイプ
ロジック入力電圧
保護機能
技術
インターフェイスタイプ
サポートされているトポロジ
供給電圧 (標準)
隔離タイプ
分離技術
時間 - 出力の上昇
時間 - 出力低下
ドライブモード
メイン/周辺
並列サポート?
Data Sheet PDF を表示
IGBT Voltage Class 1200 V
Gate Peak Current (Max) +5 A
Max Switching Frequency 75.0 kHz
Supported Module Type IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Input Voltage 5
Protection Features Basic Active Clamping, Adv Soft Shutdown, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Basic
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Rise 22 ns
Time - Output Fall 18 ns
Driving Mode Direct-Independent
Main/Peripheral N/A
Paralleling Support? No
Data Sheet PDF を表示
IGBT Voltage Class 1200 V
Gate Peak Current (Max) +8 A
Max Switching Frequency 75.0 kHz
Supported Module Type IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Input Voltage 5
Protection Features Basic Active Clamping, Adv Soft Shutdown, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Interface Type Electrical
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Basic
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Rise 22 ns
Time - Output Fall 18 ns
Driving Mode Direct-Independent
Main/Peripheral N/A
Paralleling Support? No

SID11x1K は、eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。8 A のピーク出力ドライブ電流により、アクティブ部品を追加せずに最大 600 A (標準) までのデバイスを駆動できます。SID11x1K 単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、絶縁された単一電圧によって供給されます。

アドバンスト ソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V CMOS ロジックに対応し、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。

高集積化、実装スペースの小型化

  • 最大 8 A ピーク ドライブ電流を供給する分割出力
  • 内蔵 FluxLink? 技術
  • レイルツーレイルの安定出力電圧
  • 二次側に対して単一電圧動作
  • 600 V/650 V/1200 V の IGBT スイッチ及び MOSFET スイッチに最適
  • 最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供
  • 最大 1200 V のブロック電圧で基本絶縁を提供
  • 最大 75 kHz のスイッチング周波数
  • 260 ns の伝搬遅延時間
  • ±5 ns の伝搬遅延ジッター
  • -40 ℃ ~ 125 ℃の動作周囲温度
  • 優れたコモンモード過渡耐性
  • 9.5 mm の沿面及び空間距離に対応した eSOP パッケージ

優れた保護/安全特性

  • 一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護 (UVLO) と異常フィードバック
  • VCESAT モニタリングと異常フィードバックを使用する短絡保護
  • アドバンストソフト シャット ダウン (ASSD)

安全規格及び規制に完全に準拠

  • 部分放電試験 100% 対応
  • 6 kV RMS (1 秒) HIPOT 100% 対応
  • VDE 0884-10 対応の強化絶縁は保留中

グリーン パッケージ

  • ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合

Related Products