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SCALE-iDriver IC

IGBT と MOSFET と SiC MOSFET の両方を駆動するために最適化されたゲート ドライバ IC の SCALE-iDriver ファミリーは、Power Integrations の先進的な FluxLink 磁気誘導双方向通信技術を 1200 V 及び 1700 V ドライバ アプリケーションに採用した最初の製品です。

  • FluxLink 技術を使用すると、寿命の短いオプト電子部品及びそれに関連する補償回路が不要になるため、システムの複雑さを軽減しながら動作上の安定性を向上できます。
  • 高度なシステムの安全性保護機能によって、一般的な中電圧及び高電圧のアプリケーションで製品の信頼性がさらに高まります。
  • 革新的な eSOP パッケージは、沿面距離が 9.5 mm、比較トラッキング指数 (CTI) が 600 という特徴をもち、十分な動作電圧マージン及びシステムの高信頼性を保証します。
  • シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ ICは、外部ブースト ステージを必要とせず、最高のピーク出力ゲート電流を提供する高効率でシングルチャネルの SiC MOSFET ゲート ドライバです。現在の SiC MOSFET に必要とされるさまざまなゲートドライブ電圧をサポートするように構成できます。
  • AEC-Q100 認定自動車用の SCALE-iDriver IC ジャンクション温度 125°C で最大 8 A のドライブ電流を出力することができ、ブースター回路がなくても、600、650、750、1200V IGBT 及び SiCを使用した最大数百 kW の インバータ設計をサポートします。


Power Integrations が SCALE-iDriver について説明。

Products
製品
データ シート
概要
最大絶縁破壊電圧
Power Switch
SIC1182K

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ

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アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch SiC MOSFET
SIC118xKQ

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) 及び 最大 1200 V の強化絶縁に 対応した最大 8 A の車載用シングルチャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 及び IGBT ゲート ドライバ

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アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) 及び 最大 1200 V の強化絶縁に 対応した最大 8 A の車載用シングルチャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 及び IGBT ゲート ドライバ

Max Breakdown Voltage 750 V, 1200 V Power Switch SiC MOSFET
SID1102K

最大 1200 V の IGBT と MOSFET に対して、強化絶縁を提供する最大 5 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

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最大 1200 V の IGBT と MOSFET に対して、強化絶縁を提供する最大 5 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x1K

最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

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最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

Max Breakdown Voltage 650 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11X2K

優れた安全特性と保護機能を提供するガルバニック絶縁されたシングルチャネル ゲート ドライバ IC

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優れた安全特性と保護機能を提供するガルバニック絶縁されたシングルチャネル ゲート ドライバ IC

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET
SID11xxKQ

自動車アプリケーション用の強化絶縁型シングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

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自動車アプリケーション用の強化絶縁型シングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V Power Switch IGBT, MOSFET