2SC0115T
90 kW ～ 500 kW インバータ向け最小 IGBT ゲート ドライバ、SCALE-2+ 技術、1200 V IGBT ドライバのガルバニック ソリューション、高度なアクティブ クランプまたは SSD を搭載
アプリケーション
|
製品
|
データ シート
|
IGBT 電圧クラス
|
チャネル数
|
樹脂コーティング？
|
ドライブモード
|
ゲートピーク電流（最大）
|
ゲートターンオフ電圧
|
分離技術
|
インターフェイスタイプ
|
保護機能
|
隔離タイプ
|
ロジック入力電圧
|
メイン/周辺
|
最大スイッチング周波数 (kHz)
|
オプション情報
|
ゲートターンオン電圧
|
サポートされているモジュールタイプ
|
サポートされているトポロジ
|
出力電力/チャネル-最大
|
並列サポート？
|
供給電圧 (標準)
|
時間 - 出力低下
|
時間 - 出力の上昇
|
技術
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1200 V
|
Number of Channels
2
|
Conformal Coated?
No
|
Driving Mode
直接独立型
|
Gate Peak Current (Max)
+15 A
|
Gate Turn-off Voltage
--8.5 V
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Interface Type
電気
|
Protection Features
高度アクティブクランピング, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）, 低電圧（プライマリ側）
|
Isolation Type
強化型
|
Logic Input Voltage
5
|
Main/Peripheral
N/A
|
Max Switching Frequency
50.0 kHz
|
Options Info
Conformal Coated Version 2SC0115T2A0C-12
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Supported Module Type
IGBT, NチャネルMOSFET
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Power - Output/Channel (Max)
1.4 W
|
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Time - Output Fall
12 ns
|
Time - Output Rise
6 ns
|
Technology
SCALE-2+
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1200 V
|
Number of Channels
2
|
Conformal Coated?
Yes
|
Driving Mode
直接独立型
|
Gate Peak Current (Max)
+15 A
|
Gate Turn-off Voltage
--8.5 V
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Interface Type
電気
|
Protection Features
高度アクティブクランピング, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）, 低電圧（プライマリ側）
|
Isolation Type
強化型
|
Logic Input Voltage
5
|
Main/Peripheral
N/A
|
Max Switching Frequency
50.0 kHz
|
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Supported Module Type
IGBT, NチャネルMOSFET
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Power - Output/Channel (Max)
1.4 W
|
Paralleling Support?
No
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Time - Output Fall
12 ns
|
Time - Output Rise
6 ns
|
Technology
SCALE-2+
|
製品詳細
DC/DC 電源および���イッチング シグナル送信向けの新しい 2SC0115T IGBT ドライバ コアは、SCALE-2+ 集積回路および絶縁トランス テクノロジを利用し、フォトカプラを不要とすることでシステムの信頼性とパフォーマンスを改善します。IGBT ドライバ コアが強化された電気絶縁ターゲット システムは、1200 V IGBT モジュールを標準 900 V の定格電圧で動作させ、IEC 60664-1 および IEC 61800-5-1 の PD2 および OV II 要件に準拠します。2SC0115T IGBT ゲート ドライバ コアは、最大 2400 A のモジュールと最大 50 kHz のスイッチング周波数に対応しています。
- SCALE-2+ チップ セット
- 樹脂コーティングで利用できる
- プログラム可能な SSD 及び AAC 機能
- ハード、ウェーブ、選択的はんだ付け処理用の新しいピン
- 2mm PCB に対応した新しいピン長 (2,54mm、3,1mm、5,84mm)
- すべて鉛フリー
- すべてに進化した EMC 技術が採用
- 電気的性能及び機械的性能に変更はなし
- 下位アイテムとの互換性は100%
- 全タイプが、UL508C 及び UL において UL リスト化されています。
- SCALE™-2+ 技術、1200 V IGBT ドライバのガルバニック ソリューション、高度なアクティブ クランプまたは SSD を搭載
- 最大 1200 V のデュアルチャンネル ドライバ コア
- ±15 A ゲート電流、+15 V/-6 V
- 1 つのチャンネルにつき最大 1.2 W
- オンボード定電圧電源
- ソフト シャット ダウン (SSD) または高度なアクティブ クランプ (AAC)
- 高い信頼性 (部品点数を削減) かつ最高クラスの絶縁技術
- 部分放電試験済みの絶縁技術
- 100 ナノ秒未満の遅延時間、最大 50 kHz
- IEC 61800-5-1 および IEC 60664-1 に対応した定格電圧が 900 V の絶縁仕様
- -40℃ ～ +105℃ (ディレーティングでは 105°C)
- RoHS 指令適合
