SID1102K
最大 1200 V の IGBT と MOSFET に対して、強化絶縁を提供する最大 5 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SID1102K は、eSOP ワイドパッケージのシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET のゲート ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的な固体絶縁 FluxLink™ 技術によって実現されます。最大 5 A のピーク出力ドライブ電流により、この製品は最大 300 A の定格電流でデバイスを駆動できます。ブースター回路は、5 A を超えるゲート ドライバの要件下で使用でき、AUXGL 及び AUXGH の出力ピンは、最大 60 A で外部 N チャンネル MOSFET を駆動します。
コントローラ (PWM) 信号は 5 V の CMOS ロジックと互換性があり、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。二次側の電圧管理により、+15 から -10 V のバイポーラ ゲート ドライブ電圧が提供されますが、+25 V の単一電圧のみ必要となります。+15 V ゲート ドライブ電圧は、チップの内蔵 Vee 電圧レギュレータにより制御されます。低電圧ログ アウトによりゲート信号がオフになり、IGBT または MOSFET の安全な操作を持続できます。
仕様
| 最大スイッチング周波数 (kHz) | 75.00 kHz |
| IGBT 電圧クラス | 1200 V |
| 技術 | SCALE-iDriver |
| インターフェイスタイプ | 電気 |
| チャネル数 | 1 |
| ゲートピーク電流(最大) | +5 A |
| 製品タイプ | IC |
| Product Sub-Type | ドライバ IC |
| サポートされているモジュールタイプ |
IGBT
NチャネルMOSFET
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| メイン/周辺 | N/A |
| サポートされているトポロジ |
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
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| 保護機能 |
基本アクティブクランピング
高度ソフトシャットダウン
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧(セカンダリ側)
低電圧(プライマリ側)
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| ドライブモード | 直接独立型 |
| ロジック入力電圧 | 5 |
| 供給電圧 (標準) | 5.00 V |
| 時間 - 出力の上昇 | 29.00 ns |
| 時間 - 出力低下 | 14.00 ns |
| 分離技術 | Fluxlink |
| 隔離タイプ | 強化型 |
| Gate Boosting? | はい |
| ゲートピーク電流(最小) | -5 |
