ソリューション ファインダー

2SC0435T2H0-17

デュアルチャンネル SCALE-2+ ドライバ コア、新しい 2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17 、高い統合レベル、超小型、高品質 35 A ゲート電流、及び 2 x 4 W 出力電力

アプリケーション
製品詳細

2SC0435T は、小型設計と高い信頼性、更に幅広いアプリケーションに対応した新しいトの SCALE-2 デュアル ドライバ コアです。2SC0435T は、最大 3,600 A /1200 V または 3600 A / 1700 V で一般的なあらゆる IGBT モジュールを駆動します。内蔵並列機能により、高い電力定格でもインバータ設計がシンプルになります。マルチレベル トポロジもサポートされます。

この技術の特長
2SC0435T は、産業用の用途に利用できる最も小型のドライバ コアの 1 つで、面積がわずか 57.2 x 51.6 mm、外形が 20 mm です。SCALE-2 チップセットでは、従来のソリューションと比較して部品数が最大 85% 減少するため、大幅に信頼性が高くなり、コスト��削減されます。
2SC0435T は絶縁型 DC/DC コンバータ、短絡保護、及び電源電圧監視などの駆動に必要なすべての部品とフル機能 2 チャンネル ドライブ コアを内蔵しています。2 つの出力チャンネルのそれぞれが一次側及び他の二次チャンネルから電気的に絶縁されています。

IGBT モード
チャンネルごとに 35 A の出力電流及び 4 W のドライブ電力を利用でき、2SC0435T を高電力モジュールと並列接続 IGBT モジュールの両方に適したドライバとして選択できます。専用 IGBT モードでは、ドライバが +15 V / –10 V のゲート電圧振幅に対応します。出力電力レベルに関係なく安定した 15 V を維持するように、ターンオン電圧が規定されています。
卓越した EMC 性能により、過酷な産業用途でも信頼度の高い安全な動作を実現できます。2SC0435T はブロック電圧が最大 1700 Vの高電力 IGBT に最適です。

MOSFET モード
2SC0435T には専用 MOSFET モードに対応しています。これによって +10 V ~ +20 V / 0 V のゲート電圧振幅が実現し、ほとんどのドライバのスイッチング速度が 100 kHz になります。
高出力電力、非常に短い遅延、非常に小さいジッターの 2SC0435T ドライバ コアは、高電力、超高速スイッチング、最先端の MOS 電源デバイスの機能を十分に活用するように設計されています。

並列接続 IGBT の駆動
このドライバでは、個々のドライバと任意の数の IGBT モジュールの直接並列接続が可能です。この新しい先進的な概念により、開発時の大きな負担を軽減して、個別のモジュールによる直列接続と同様、並列接続された IGBT でコンバータ を構成できるようになりました。• 直接並列接続:どのような仕組みか(リンクを挿入)

仕様
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 100.00 kHz
IGBT 電圧クラス 1700 V
技術 SCALE-2+
製品タイプ Driver Core
出力電力/チャネル-最大 6.00 W
インターフェイスタイプ Electrical
Options Info

Conformal Coated Version
  2SC0435T2H0C-17

チャネル数 2
Footnote

600V-1700V, pin length 2.54mm, -40°C...85°C, increased EMI immunity, lead free

Gate Peak Current (Max) +35 A
製品タイプ Board
Product Sub-Type Driver Core
サポートされているモジュールタイプ
IGBT
N-Channel MOSFET
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
並列サポート?
保護機能
Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
樹脂コーティング?
ドライブモード
Halfbridge
Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 15.00 V
ゲートターンオン電圧 +15.00 V
ゲートターンオフ電圧 --10.10 V
時間 - 出力の上昇 20.00 ns
時間 - 出力低下 20.00 ns
分離技術 Galvanic
隔離タイプ Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -35