ソリューション ファインダー

1SC2060P2A0-17

プレーナートランスが付属しているシングルチャンネル SCALE-2 ドライバ コア、大型の IGBT モジュールを並列で駆動するための 60 A のゲート電流、最大 500 kHz の高周波用途向けの 20 W の出力電力

アプリケーション
製品詳細

1SC2060P は CONCEPT のドライバ コアファミリーを構成する電力レベルが最も高い最新製品です。高性能の SCALE-2 ドライバは、高電力のシングルチャンネル IGBT 及び MOSFET の用途 (誘導加熱、共振、高周波電力変換、大規模のモジュールの並列ゲート駆動など) を対象としています。
プレーナートランス技術の使用により、電力密度、ノイズ耐性、及び信頼性が大幅に向上します。
最新の SCALE-2 チップセットが搭載されているゲート ドライバは、クラス最高の効率を実現し、最大 500 kHz でのスイッチングをサポートします。1SC2060P は DC/DC コンバータ、短絡保護、アドバンスト アクティブ クランプ、及び電源電圧監視のすべてが搭載されたフル機能シングル チャンネル IGBT ドライブ コアによって効果的に構成されています。
この寸法 44 mm x 74 mm、高さわずか 7 mm の超小型 1SC2060P は魅力的な形状で高い電力密度を実現します。高集積度の SCALE-2 チップセットでは、従来のソリューションと比較して部品数が 80% 減少するため、大幅に信頼性が高くなり、コストが削減されます。
並列機能が組み込まれており、より高い電力定格に対応するインバータ設計が容易になります。

IGBT モード
60 A ゲート電流を 20 W 出力電力と統合することにより、1SC2060P は大規模な IGBT モジュールを駆動するシングル ゲートと並列ゲートの両方に最適な高電力ドライバ プラットフォームとなっています。専用 IGBT モードでは、ドライバが +15 V / –10 V のゲート電圧振幅に対応します。出力電力レベルに関係なく安定した 15 V を維持するように、ターンオン電圧が規定されています。
優れた EMC パフォーマンスにより、業界で最も過酷な環境でも確実に動作することができます。1SC2060P はブロック電圧が最大 1700 Vの高電力 IGBT に最適です。

MOSFET モード
高出力電力、非常に短い遅延、非常に小さいジッターの 1SC2060P ドライバ コアは、高電力、超高速スイッチング、最先端の MOS 電源デバイスの機能を十分に活用するように設計されています。

高速スイッチング アプリケーションの利点
高速スイッチングは、高いドライブ電力や高い周波数を必要とするだけではなく、ドライバの遅延時間や関連するジッターなどの極めて重要なパラメータに対しても厳しい制御が要求されます。遅延が短い高速ドライバでは、電力システムの制御ループでの位相の遅れが大幅に減少します。位相の遅れが少ないことは制御ループの安定性を維持するための必須条件であり、高速スイッチングの利点を十分に活用できるようにします。

1SC2060P は、80 ナノ秒未満の遅延時間及び ±1 ナノ秒未満の非常に低いジッターを実現する高速信号伝送に対応した、SCALE-2 の特長を持っています。この独自の高出力電力と安定した精度が組み合わされ、1SC2060P はタイミング マージンの厳密な制御が不可欠なシステムを最適化するための最もふさわしい選択肢となっています。

仕様
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 500.00 kHz
IGBT 電圧クラス 1700 V
技術 SCALE-2
出力電力/チャネル-最大 23.00 W
インターフェイスタイプ Electrical
チャネル数 1
Gate Peak Current (Max) +60 A
製品タイプ Board
Product Sub-Type Driver Core
サポートされているモジュールタイプ
IGBT
N-Channel MOSFET
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
並列サポート?
保護機能
Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
樹脂コーティング?
ドライブモード Direct-Independent
ゲートターンオン電圧 +15.00 V
ゲートターンオフ電圧 --10.50 V
時間 - 出力の上昇 10.00 ns
時間 - 出力低下 15.00 ns
分離技術 Galvanic
隔離タイプ Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -60