ソリューション ファインダー

SIC1181KQ

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) 及び 最大 1200 V の強化絶縁に 対応した最大 8 A の車載用シングルチャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 及び IGBT ゲート ドライバ

アプリケーション
製品詳細

SIC1181KQ と SIC1182KQ は、SiC MOSFET 用のシングル チャネル ゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink 技術によって実現されます。最大 ±8 A の
ピーク出力ドライブ電流により、定格電流 600/800 A (typ.) までのデバイスを駆動できます。

一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

さらに、このゲート ドライバ IC には、短絡保護 (オン期間及びターンオン時) 及び 1 つのセンス ピンで実現できる AAC (アドバンストアクティブクランプ) (ターンオフ時) による過電圧制限機能を有します。電流センス端子がある SIC MOSFET では、調整可能な過電流検出機能を実現できます。

仕様
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 150.00 kHz
IGBT 電圧クラス 750 V
技術 SCALE-iDriver
インターフェイスタイプ Electrical
チャネル数 1
Gate Peak Current (Max) +8 A
製品タイプ IC
Product Sub-Type Driver IC
サポートされているモジュールタイプ
IGBT
Silicon Carbide
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
並列サポート?
保護機能
Adv Active Clamping
Dynamic Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
樹脂コーティング?
ドライブモード Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間 - 出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タイプ Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -8