ソリューション ファインダー

LQA20N200C

優れた EMI 特性を達成する高速シリコン ダイオード

  • VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 40 A
  • QRR       - 5 nC - 61 nC

アプリケーション
製品詳細

Qspeed ダイオードは、シリコン ダイオードの中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。

製品ハイライト

主な内容

  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • 高 dIF/dt 対応 (1000A/µs)
  • スムーズな リカバリー特性

利点

  • 効率の向上
    • スナバ回路が不要
    • EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
  • 極めて高速なスイッチング特性を実現

用途

  • 力率改善 (PFC) ブースト ダイオード
  • モーター ドライブ回路
  • DC-AC インバーター

関連情報

PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション

Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。

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仕様
63931
仕様
Current - Forward (avg) 10.00 A
Voltage - Forward (typ)
Voltage - Reverse Recovery (Max) 200.00V
IC Package TO-252DPAK
Integrated Diode
Internal Switch
Mounting Type Through Hole
PowiGaN?
Temperature - Operating (Min) -55 °C
Temperature - Operating (Max) 150 °C
Product Sub-Type Diode