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LQA30T150C

快速矽二極體,具備卓越的 EMI 性能

  • VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 40 A
  • QRR       - 5 nC - 61 nC

應用
產品規格型錄
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產品詳情

Qspeed 二極體在所有矽二極體中的 QRR 最低,其恢復特性可提高效率、減少 EMI,並且不必使用突波吸收器。

產品重要特色

特色

  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • 高 dIF/dt 能力 (1000A/µs)
  • 軟恢復特性

優點

  • 提高效率
    • 不必使用突波吸收器電路
    • 減小 EMI 濾波器元件的尺寸,並降低其數量
  • 可以進行極快速的切換

應用

  • 功率因數修正 (PFC) 升壓式二極體
  • 馬達驅動電路
  • DC-AC 逆變器

相關資訊

在 PowerEsim 上模擬 Qspeed 二極體

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產品規格

產品規格
正向電流 (平均) 15.00 A
反向恢復電壓 (最大) 150.00V
IC封裝 TO-220AB
Device Package TO-220AB
安裝類型 Through Hole
運作溫度 (最小) -55 °C
運作溫度 (最大) 150 °C
Product Sub-Type Diode