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SID1132KQ

최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

애플리케이션
제품 상세 정보

SID11xxKQ는 eSOP 패키지의 단일 채널 IGBT 및 MOSFET 드라이버입니 다. 강화된 갈바닉 절연 성능은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연물 FluxLink 기술에 의해 제공됩니다. 8A의 피크 출력 드라이브 전류 덕분에 추가적인 부품 없이도 최대 600A(기본값)로 IGBT 및 MOSFET을 구동하는 제품을 제작할 수 있습니다. SID11xxKQ의 단독 용량을 초과하는 게이트 드라이브 요건의 경우, 외장 증폭기(부스터)를 추가할 수도 있습니다. 하나의 유니폴라 절연 전압 소스가 게이트 제어를 위한 안정적인 플러스 및 마이너스 전압을 제공합니다.

ASSD(Advanced Soft Shut Down)를 사용한 회로 단락 보호(DESAT), 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출력 임피 던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서도 안전한 작동을 보장합니다.

컨트롤러(PWM 및 고장) 신호는 5V CMOS 로직과 호환되며, 외부 저항 분배기를 사용할 경우 전압이 15V 수준까지 조정될 수도 있습니다.

명세서
명세서
최대 스위칭 주파수 75.00 kHz
IGBT 전압 등급 1200 V
기술 SCALE-iDriver
인터페이스 유형 Electrical
채널 수 1
게이트 피크 전류 (최대) +2 A
상품 유형 IC
Product Sub-Type Driver IC
지원되는 모듈 유형
IGBT
N-Channel MOSFET
메인 / 주변 N/A
지원되는 토폴로지
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
병렬 지원?
보호 기능
Basic Active Clamping
Adv Soft Shutdown
Dynamic Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
등각 코팅?
드라이브 모드 Direct-Independent
논리 입력 전압 5
공급 전압 (일반) 5.00 V
시간 - 출력 상승 22.00 ns
시간 - 출력 하락 18.00 ns
격리 기술 Fluxlink
격리 유형 Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -2