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SIC1181KQ

향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제 공하는 자동차 애플리케이션용 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

애플리케이션
제품 상세 정보

SIC1181KQ 및 SIC1182KQ는 SiC MOSFET용 단일 채널 게이트 드라이버 입니다. 강화된 갈바닉 절연은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연체 FluxLink 기술로 제공됩니다. 최대 ±8A 피크 출 력 드라이브 전류는 제품이 최대 600/800A(일반)의 정격 전류로 장치를 구동할 수 있게 합니다.

1차측 및 2차측에 대한 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출 력 임피던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서 도 안전한 작동을 보장합니다.

또한, 이 게이트 드라이버 IC는 단일 센싱 핀을 통해 AAC 향상된 액티브 클램핑(턴오프 단계 동안)으로 수행되는 과전압 제한 뿐만 아니라 회로 단락 보호(턴온 단계 동안) 기능을 제공합니다. SIC MOSFET에 전류 센 싱 단자가 공급되면 조정 가능한 과전류 감지가 실현될 수 있습니다.

명세서
명세서
최대 스위칭 주파수 150.00 kHz
IGBT 전압 등급 750 V
기술 SCALE-iDriver
인터페이스 유형 Electrical
채널 수 1
게이트 피크 전류 (최대) +8 A
상품 유형 IC
Product Sub-Type Driver IC
지원되는 모듈 유형
IGBT
Silicon Carbide
메인 / 주변 N/A
지원되는 토폴로지
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
병렬 지원?
보호 기능
Adv Active Clamping
Dynamic Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
등각 코팅?
드라이브 모드 Direct-Independent
논리 입력 전압 5
공급 전압 (일반) 5.00 V
시간 - 출력 상승 22.00 ns
시간 - 출력 하락 18.00 ns
격리 기술 Fluxlink
격리 유형 Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -8