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SIC1182K

향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제공하는 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버

애플리케이션
제품 상세 정보

SIC1182K는 SiC MOSFET용 eSOP-R16B 패키지의 단일 채널 게이트 드라이버입니다. 강화 갈바닉 절연은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연체인 FluxLink 기술로 제공되며, 최대 ±8A 피크 출력 드라이브 전류는 제품이 최대 600A(typ)의 정격 전류로 장치를 구동할 수 있게 합니다.

1차측 및 2차측에 대한 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출력 임피던스 등의 추가 기능을 갖는 rail-to-rail 출력은 혹독한 상황에서도 안전한 작동을 보장합니다.

또한 이 게이트 드라이버 IC는 단일 센싱 핀을 통해 회로 단락 보호 기능(턴 온 단계)과 과전압 제한 기능을 결합한 새로운 기능인, 향상된 액티브 클램핑(턴 오프 단계)을 제공합니다. 피구동 반도체에 전류 센싱 단자가 공급되면 조정 가능한 과전류 감지 시스템이 지원됩니다.

명세서
명세서
최대 스위칭 주파수 150.00 kHz
IGBT 전압 등급 1200 V
기술 SCALE-iDriver
인터페이스 유형 Electrical
채널 수 1
게이트 피크 전류 (최대) +8 A
상품 유형 IC
Product Sub-Type Driver IC
지원되는 모듈 유형 Silicon Carbide
메인 / 주변 N/A
지원되는 토폴로지
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
병렬 지원?
보호 기능
Adv Active Clamping
Dynamic Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
등각 코팅?
드라이브 모드 Direct-Independent
논리 입력 전압 5
공급 전압 (일반) 5.00 V
시간 - 출력 상승 22.00 ns
시간 - 출력 하락 18.00 ns
격리 기술 Fluxlink
격리 유형 Reinforced
Gate Boosting?
Gate Peak Current (Min) -8