ソリューション ファインダー

電力損失ゼロ X コンデンサ自動急速放電IC、オプションの損失ゼロのゼロクロス信号発生器付き

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ

1200 V 及び 1700 V PrimePACK 3+ IGBT モジュール用のデュアルチャンネル SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバ

統合デバイス保護とシステム監視付きの高電圧、自己給電、ハーフブリッジモータードライバー

• MotorXpert Suiteと連携した完全なハードウェア・ソフトウェアソリューション

最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

最大 1200 V の IGBT と MOSFET に対して、強化絶縁を提供する最大 5 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

負荷範囲全体で高力率と高効率を実現するように最適化された 600 V 耐圧 MOSFET 内蔵の PFC コントローラ

システムレベルでの保護機能内蔵、高効率、及び低電力のオフライン スイッチング電源用 IC

少ない部品点数、システムレベルでの保護機能内蔵、725 V / 900 V MOSFET、高効率のオフライン スイッチング用 IC

優れた安全特性と保護機能を提供するガルバニック絶縁されたシングルチャネル ゲート ドライバ IC

90 kW ～ 500 kW インバータ向け最小 IGBT ゲート ドライバ、SCALE-2+ 技術、1200 V IGBT ドライバのガルバニック ソリューション、高度なアクティブ クランプまたは SSD を搭載

電力損失ゼロ X コンデンサ自動放電 IC

シングルチャンネル SCALE™-2 ドライバ コア 1SC0450V/E

デュアルチャンネル SCALE-2 ドライバ コア 、最高レベルの集積度、10 ～ 75 kVA のインバータ設計用、安全規格認証済み

4.5kV の IGBT 用シングルチャンネル SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバ

マスタ/スレーブ動作を伴うシングルチャンネル SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバ、外付け DC/DC コンバータとともに 3300 V ～ 6500 Vの IGBT で駆動

マスタ/スレーブ動作を伴うシングルチャンネル SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバ、オンボード DC/DC コンバータとともに 1200 V ～ 3300 V の IGBT で駆動

PrimePACK™ IGBT モジュール用のデュアルチャンネル SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバ、電気的インターフェースまたは光ファイバ インターフェース

17mm の IGBT モジュール用のデュアルチャンネル SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバ、範囲内で完全に機能、内蔵並列機能

デュアルチャンネル SCALE-2 ドライバ コア EiceMELTER、最高レベルの集積 Infineon 2ED300C17-S の第二次ソース、30 A のゲート電流及び 2 x 4 W のドライブ電力

3.3 kV IGBT 用デュアルチャンネル SCALE-2 ドライバ コア、最高レベルの集積、小型、高電圧、高出力、35 A のゲート電流及び 2 x 5 W の出力電力

プレーナートランスが付属しているデュアルチャンネル SCALE-2 ドライバ コア、最高レベルの集積度、高電力及び高周波数向けの最高電力密度、50 A のゲート電流及び 2 x 6 W の出力電力

デュアルチャンネル SCALE-2+ ドライバ コア、新しい 2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17 、高い統合レベル、超小型、高品質 35 A ゲート電流、及び 2 x 4 W 出力電力

デュアルチャンネル SCALE-2+ ドライバ コア、最高レベルの集積、超小型、高品質、8 A のゲート電流及び 2 x 1 W の出力電力

プレーナートランスが付属しているシングルチャンネル SCALE-2 ドライバ コア、大型の IGBT モジュールを並列で駆動するための 60 A のゲート電流、最大 500 kHz の高周波用途向けの 20 W の出力電力

優れた EMI 特性を達成する高速シリコン ダイオード

• V_RRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 40 A
• Q_RR       - 5 nC - 61 nC

EMI とスイッチング速度のバランスが取れた高速シリコン ダイオード

• V_RRM     - 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 20 A
• Q_RR       - 21 nC - 51 nC

超高速シリコン ダイオード

• V_RRM     - 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 12 A
• Q_RR       - 5.9 nC - 8.9 nC