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SIT12xxI

最大 1200 V の強化絶縁を提供する SCALE-iDriver ゲート ドライバ IC 用の DC/DC トランス

アプリケーション
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Product Parts
製品
データ シート
チャネル数
出力電力/チャネル-最大
供給電圧 (標準)
IGBT 電圧クラス
サポートされているモジュールタイプ
サポートされているトポロジ
隔離タイプ
最大スイッチング周波数 (kHz)
動作温度 - 最小
動作温度 - 最大
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Number of Channels 2
Power - Output/Channel (Max) 1.3 W
Supply Voltage (Typ) 15 V
IGBT Voltage Class 600 V, 650 V, 1200 V
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Supported Topologies 2-Switch Forward
Isolation Type Reinforced
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Temperature - Operating (Min) -40 ℃
Temperature - Operating (Max) 105 ℃
Data Sheet PDF を表示
Number of Channels 2
Power - Output/Channel (Max) 1.3 W
Supply Voltage (Typ) 5 V
IGBT Voltage Class 600 V, 650 V, 1200 V
Supported Module Type IGBT, Silicon Carbide
Supported Topologies 2-Switch Forward
Isolation Type Reinforced
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Temperature - Operating (Min) -40 ℃
Temperature - Operating (Max) 105 ℃

革新的なトランスの「絶縁されたWire-in-Wire」構造は、低結合容量とともに優れた信頼性と強力な絶縁能力を実現します。この高い絶縁能力は、モールド化合物を使用せずに実現されます。SIT12xxI トランスは、UL 及び VDE に準拠しており、市場投入までの期間短縮に貢献します。

SIT12xxI DC/DC トランス は、SCALE-iDriverICのゲート出力用に 25 V の2次側電圧を出力し、一次側電源電圧は5 V または 15 V のいずれかを選択できます。

高い柔軟性、小さな実装面積

  • フォワード コンバータ方式の最適化されたデュアル チャンネル DC/DC トランス
  • 600 V/650 V/1200 V の IGBT 及び SiC MOSFET 用途向けの強化絶縁
  • すべての SCALE-iDriver™ IC で使用可能
  • 一次側と二次側間の巻線比の選択可能
  • -40 ℃ ~ 105 ℃の動作温度範囲
  • 9 g の軽量トランス
  • 結合容量 10 pF 未満

安全規格及び規制に準拠

  • EN 61558-2-16+A1:2013 準拠
  • 100% HIPOT 試験: 5.4 kV RMS 1秒 (一次側-二次側間) 、2.7 kV RMS 1秒 (二次側-二次側間)
  • 衝撃、振動に対する優れた堅牢性
    • IEC 60721-3-3 - Class 3M8 及び IEC 60721-3-5 - Class 5M3 に容易に適合
  • VDE 準拠
  • UL1446 準拠

グリーン パッケージ

  • ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合